铠侠公布将投资5万亿日元 增产半导体存储器
2026年8月28日(周五) 东遇留学
【共同社8月28日电】日本半导体巨头铠侠控股（HD）27日宣布，为增产需求增加的半导体存储器，到2032年计划开展5万亿日元（约合人民币2108亿元）规模的投资。5万亿日元中，约有1.8万亿日元将用于投资在岩手县北上市的工厂建设第3栋生产大楼。公司力争2029年度内投产。三重县四日市市的工厂也将扩容增产。铠侠社长太田裕雄拜访日本首相高市早苗并告知了上述计划。高市对宣布巨额投资给予回应称：“令人感到十分振奋。作为政府非常欢迎。”预计这笔投资将利用政府补贴，太田希望政府继续提供支持。
5万亿日元将由铠侠和运营四日市工厂的美国闪迪公司共同出资。闪迪公司董事长兼首席执行官（CEO）David Goeckeler强调：“将为岩手县和三重县的民众创造新的经济机遇。”
随着人工智能（AI）的爆发式普及，数据中心中用于存储运算结果的半导体存储器需求增长。铠侠和闪迪将在日本国内生产“NAND型闪存”。据铠侠称，两家公司在NAND型半导体存储器领域占约30%的全球市场份额。
在存储器市场，韩国的三星电子和SK海力士占据远超其他企业的市场份额，韩国政府也展现出投入巨资加强半导体产业的态度。铠侠有意通过积极投资来缩小与韩企的差距。
前身为东芝半导体部门的铠侠控股2024年12月在东京证券交易所PRIME市场上市。短短一年半的时间里该公司便实现了迅猛增长，市值升至与丰田汽车等巨头争夺日本国内市值榜首的水平。（完）
消息来源：共同网
